ساخت الکترود گرافنی با لایه‌نشانی اتمی به کمک پرتو فرابنفش
تاریخ انتشار: ۲۴ مرداد ۱۴۰۲ | کد خبر: ۳۸۴۶۸۴۶۷
پژوهشگران با رویکرد جدیدی به نام لایه‌نشانی اتمی با کمک پرتو فرابنفش موفق به ساخت الکترودهایی از جنس گرافن شدند، به گونه‌ای که خواص ذاتی گرافن در این الکترودها حفظ شده است.
خبرگزاری برنا؛ در سال ۲۰۰۴، محققان با گرافن آشنا شدند، ماده‌ای بسیار نازک، انعطاف‌پذیر و رسانای الکتریکی با استحکام قابل توجهی که می‌تواند کاربردهای متعددی داشته باشد.
بیشتر بخوانید:
اخباری که در وبسایت منتشر نمی‌شوند!
یک تیم تحقیقاتی متشکل از محققانی همچون پروفسور جیهوان‌آن، از گروه مهندسی مکانیک دانشگاه علم و فناوری پوهانگ (POSTECH)، جئونگ وو شین از گروه مهندسی مکانیک در NTU سنگاپور و پارک جئون وو از گروه MSDE در SEOULTECH رویکرد جدیدی به نام رسوب لایه اتمی با کمک پرتو فرابنفش (UV-ALD) را برای تولید الکترود گرافنی استفاده کرد. این روش پیشرو، منجر به تولید موفقیت‌آمیز رابط گرافن-دی الکتریک با کارایی بالا شد. یافته‌های آنها به‌عنوان مقاله روی جلد اول در نسخه ژوئیه Advanced Electronic Materials، ارائه شد.
این تیم تحقیقاتی اولین گروهی بودند که UV-ALD را برای ایجاد لایه‌های دی الکتریک بر روی سطح گرافن که یک ماده دو بعدی است، اعمال کردند. رسوب لایه اتمی (ALD) شامل افزودن لایه‌های بسیار نازک در مقیاس اتمی به یک بستر است و اهمیت آن با کوچک شدن اندازه اجزای نیمه‌هادی به طور قابل توجهی افزایش یافته است. UV-ALD، که نور ماوراء بنفش را با فرآیند لایه‌نشانی ترکیب می‌کند، امکان قرار دادن فیلم دی الکتریک بیشتری را نسبت به ALD سنتی فراهم می‌کند. با این حال، تا پیش از این، هیچ گروهی کاربرد UV-ALD را برای مواد دو بعدی مانند گرافن بررسی نکرده بود.
این تیم تحقیقاتی از نور ماوراء بنفش با محدوده انرژی کم (زیر ۱۰ eV) برای ایجاد لایه‌های دی الکتریک در مقیاس اتمی بر روی سطح گرافن استفاده کرد و به طور موثر سطح گرافن را بدون به خطر انداختن خواص ذاتی آن فعال کرد. این فعال سازی تحت شرایط خاص (در عرض ۵ ثانیه در هر چرخه در طول فرآیند ALD) به دست آمد، که امکان رسوب فیلم های دی الکتریک لایه اتمی با چگالی بالا و خلوص بالا را در دماهای پایین (زیر ۱۰۰ درجه سانتیگراد) نشان می دهد. علاوه بر این، هنگامی که ترانزیستورهای اثر میدان گرافن با استفاده از فرآیند UV-ALD ساخته شدند، خواص الکتریکی استثنایی گرافن دست نخورده باقی ماند. نتیجه افزایش سه برابری در تحرک بار و کاهش قابل توجه ولتاژ دیراک به دلیل کاهش نقص در سطح گرافن بود.
پروفسور جیهوانان که رهبری این تحقیق را بر عهده داشت، توضیح داد: «از طریق UV-ALD، ما به رابط گرافن-دی الکتریک با کارایی بالا دست یافتیم. مطالعه ما منجر به رسوب لایه اتمی یکنواخت بدون به خطر انداختن خواص این ماده دو بعدی شد. امیدوارم این روش راه را برای نسل بعدی دستگاه‌های نیمه‌هادی و حوزه انرژی هموار کند.»
انتهای پیام/
آیا این خبر مفید بود؟نتیجه بر اساس رای موافق و رای مخالف
منبع: خبرگزاری برنا
کلیدواژه: انرژی علم و فناوری مکانیک لایه گرافن علم و فناوری لایه نشانی سطح گرافن لایه اتمی
درخواست حذف خبر:
«خبربان» یک خبرخوان هوشمند و خودکار است و این خبر را به‌طور اتوماتیک از وبسایت www.borna.news دریافت کرده‌است، لذا منبع این خبر، وبسایت «خبرگزاری برنا» بوده و سایت «خبربان» مسئولیتی در قبال محتوای آن ندارد. چنانچه درخواست حذف این خبر را دارید، کد ۳۸۴۶۸۴۶۷ را به همراه موضوع به شماره ۱۰۰۰۱۵۷۰ پیامک فرمایید. لطفاً در صورتی‌که در مورد این خبر، نظر یا سئوالی دارید، با منبع خبر (اینجا) ارتباط برقرار نمایید.
با استناد به ماده ۷۴ قانون تجارت الکترونیک مصوب ۱۳۸۲/۱۰/۱۷ مجلس شورای اسلامی و با عنایت به اینکه سایت «خبربان» مصداق بستر مبادلات الکترونیکی متنی، صوتی و تصویر است، مسئولیت نقض حقوق تصریح شده مولفان در قانون فوق از قبیل تکثیر، اجرا و توزیع و یا هر گونه محتوی خلاف قوانین کشور ایران بر عهده منبع خبر و کاربران است.
خبر بعدی:
(ویدئو) مرگ جوجه پنگوئن‌های امپراتور در پی ذوب بی‌سابقه یخ در قطب جنوب
کد ویدیو دانلود فیلم اصلی
پژوهشگران مرکز بریتانیایی نظارت بر قطب جنوب گفتند تحت تأثیر کاهش بی‌سابقه وسعت لایه‌های یخبندان دریا‌های جنوبگان در سال ۲۰۲۳، تولید مثل پنگوئن‌های امپراتور ساکن این مناطق به میزان حدود یک پنجم کاهش یافته است.
به گزارش فرارو، پنگوئن‌های امپراتور، پرجمعیت‌ترین گونه از این پرندگان و یکی از دو گونه پنگوئن ساکن جنوبگان هستند و برای تخم‌گذاری و پرورش جوجه‌های خود به لایه‌های یخبندان پیوسته به ساحل نیاز دارند.
پیتر فرتول، از پژوهشگران مرکز بریتانیایی نظارت بر قطب جنوب که با استفاده از ماهواره حیات وحش در این مناطق را بررسی می‌کند گفت: ورود زودهنگام جوجه‌های نورس به آب دریا باعث مرگ آنها به دلیل یخ زدن یا غرق شدن شده است.
این کارشناس خاطرنشان کرد که احتمالاً چندین دسته بزرگ از پنگوئن‌های امپراتور که در سال ۲۰۲۲ تحت تأثیر قرار گرفته بودند محل تخم‌گذاری و پرورش جوجه‌های خود را تغییر داده‌اند. برخی از آنها به مناطق جنوبی‌تر مهاجرت کرده که لایه‌های یخبندان بهتری دارند
روز ۲۵ آوریل، ششم اردیبهشت، روز جهانی پنگوئن است. این روز به ابتکار ایستگاه پژوهشی آمریکایی مک مودرو در جزیره راس، واقع در نزدیکی جنوبگان، نامگذاری شده است. مناسبت آن شروع دوره مهاجرت پنگوئن‌های آدلی به سمت قطب جنوب در همین روز است.
علت فوت پزشک متخصص در استان فارس در دست بررسی است